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產品簡介：林賽斯TFA L59 薄膜分析儀，是一個高度集成的測量平臺。其獨特的預結構化芯片設計，支持對通過多種方法制備的5nm至25μm薄膜，在單次測量中（-160°C至280°C）即可同時、同向獲取面內導熱系數、電導率及塞貝克系數等關鍵參數，極大簡化了半導體、陶瓷等薄膜材料的研發表征流程。
產品型號：
更新時間：2026-02-06
廠商性質：生產廠家
訪問量：194
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新型林賽斯 薄膜分析儀 TFA L59 設備可用于表征薄膜的物理特性，它是一個高度集成且易于使用的測量平臺。
TFA L59 薄膜分析儀 基本配置包括一個測量芯片（樣品可以輕松地沉積在其上面）以及一個用于提供所需環境條件的測量腔室。根據應用的不同，該配置可與鎖相放大器和 / 或強電磁體配合使用。測量通常在高真空條件下進行，并且在測量過程中，利用液氮（LN2）和功率強勁的加熱器，樣品溫度可控制在 -160 ℃ 至 280 ℃ 之間。
測量芯片將用于測量導熱系數的 3ω 測量技術與用于確定電輸運性質的四點范德堡裝置相結合，塞貝克系數可以通過位于范德堡電極附近集成的電阻溫度計來測量。為了便于樣品制備，可以使用剝離箔掩模或金屬蔭罩。
這種配置允許對通過物理氣相沉積（PVD，例如熱蒸發、濺射、分子束外延）、化學氣相沉積（CVD，例如原子層沉積）、旋涂、滴鑄或噴墨打印等方法制備的樣品，在一步操作中幾乎同時進行表征。
該系統的一大優勢在于能夠在一次測量過程中同時測定多種物理性質。所有的測量都是在相同的（面內）方向上進行的，因此具有很強的可比性。
| 類型 | TFA L59 | ||
| 溫度范圍： | RT - 280 °C -160 °C - 280 °C | 真空度： | 10E-4 mbar |
| 樣品厚度： | 5 nm - 25 μm（取決于樣品） | 電子設備： | 集成式 |
| 測量原理： | 基于芯片構造（預結構化的測量芯片，每盒 24 個） | 接口： | USB |
樣品制備方法： | 物理氣相沉積（濺射、汽化）、原子層沉積、旋涂、 噴墨打印等 | 導熱系數： | 0.05 - 200 W/(m?K) 3ω 法，熱帶法（面內測量） |
| 測量參數： | 導熱系數 （3ω 法） 比熱容 | 電導率： | 0.05 - 1×106 S/cm Van der Pauw 四探針測量法 |
| 自選模塊： | 塞貝克系數 / 電導率 / 電阻率 霍爾常數 / 霍爾遷移率 / 電荷載流子密度 (電磁體（磁場強度）可達 1 T，永磁體（磁場強度）為 0.5 T) | 塞貝克系數： | 5 - 2500 μV/K |
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